Silikon karbid g'isht ishlab chiqarish jarayoni

Dag'al, o'rta va nozik SiC formulasi 5: 1: 4 bo'lishi kerak. Kremniy karbid g'ishtlarini ishlab chiqarish uchun xom ashyo odatda qora SiC bo'lib, quyidagi kimyoviy tarkibga ega: SiC 98.0%, erkin C 0.5%, Fe 0.2%, va erkin SiO2 0,6%. Turli xil kombinatsiyalash usullari tufayli ishlab chiqarish jarayonida farqlar mavjud. Turli kombinatsiyalash usullarining qisqacha jarayoni:
(1) Kremniy nitridi kremniy karbid g'isht bilan birlashtirilgan: 1370 daraja toza N2 gazida qo'pol, o'rta va nozik kremniy karbid zarralari va nozik kremniy kukunidan hosil bo'lgan yashil tana,% 26 - SiC bilan tuzilish hosil qiladi. skelet va% 26 va% 26 - Si3N4. Silikon nitridi substrat uchun silikon karbid g'ishtlari bilan birlashtirilgan. Mahsulotdagi matritsada hali ham oz miqdorda qoldiq kremniy va SiO2 mavjud va bu komponentlarning nisbiy tarkibi ishlab chiqaruvchi zavodga qarab o'zgaradi.
(2) Silikon karbid g'ishtlarini birlashtirish: SiC, kremniy kukuni va uglerod kukuni aralashtiriladi va ma'lum nisbatda hosil bo'ladi va 1400 graduslik kamaytiruvchi atmosferada yondiriladi. Ko'p hollarda ko'milgan ko'mirni yoqish ishlatiladi. Pishirish jarayonida skelet sifatida % 26 - SiC va matritsa hosil bo‘lishida nozik taneli % 26 - SiC 26 - SiC bo‘lgan % 26 - Si3N4 bog‘langan SiC g‘isht hosil bo‘ladi. kuydirish jarayonida nozik kremniy kukuni va nozik uglerod kukuni reaktsiyasi bilan va bu mahsulot ham oz miqdorda qoldiq kremniy va uglerodni o'z ichiga oladi.
(3) silikon karbid g'isht bilan birlashtirilgan silikon oksinitridi: Ushbu g'ishtni tayyorlashda nozik kremniy kukunining nisbati silikon karbiddan kamroq bo'lishi kerak.